英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的超低RDS（on）CoolSiC™ MOSFET 750 V G2

admin 阅读：35606 2025年05月09日

盖世汽车讯 4月29日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G2技术，旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术可提供精细化的产品组合，在25℃时的典型导通电阻(RDS(on))高达60 mΩ，适用于各种应用，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、辅助设备（xEV），以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源（SMPS）等工业应用。

图片来源：英飞凌

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